使用特性：
1. 属液态负光阻，涂布时密着性优良，胶膜机械强度佳，耐高温与强酸。
2. 在酸性蚀刻液中，抗蚀性良好 (15-20% HF蚀刻液；etch 0.3 mm glass in 1 hr)。
3. 运用范围：玻璃板 or 芯片背面腐蚀加工；芯片封装凸块加工 (Flip Chip)等。
4. 可以水溶液DS-10显影与剥膜；有机溶液S-100剥膜 (不会腐蚀铝等金属层)。

 涂布方式：旋转等涂布【单层涂布厚度20 um – 800 rpm、60 sec；耐强酸可多层涂布增加胶膜厚→100um)。

干燥方式：适当软烤温度 (Soft BakeTemp.)：65-85℃；时间：15-30分钟。

 曝光量：250-400 mj/cm2依基片反光度而定。

 曝光后静置：温度：室温；时间：5-15分钟。

 显影方式：
显影液DS-10(1:1) (不会腐蚀铝等金属层)；室温；
显影时间：90-300秒；需DI Water Rinse Cycles。

 1. DS-10 or S-10剥膜液 (溶液不会腐蚀铝等金属层)。
2. 剥膜时间：90-300秒，需DI Water Rinse Cycles。
※ 请注意：S-100含有机溶剂，不适合应用于含有蓝膜 (PVC膜) 的制程 ※

 相关物理化学性质：