i-line स्टेपर
एक आई-लाइन स्टेपर एक फोटोलिथोग्राफी उपकरण है जो एक्सपोजर के लिए 365nm तरंग दैर्ध्य के प्रकाश स्रोत का उपयोग करता है, जो मुख्य रूप से माइक्रोन-स्तरीय रिज़ॉल्यूशन सेमीकंडक्टर प्रक्रियाओं और MEMS, पावर उपकरणों और अन्य क्षेत्रों में उपयोग किया जाता है। इसके लाभों में उच्च स्थिरता और कम लागत शामिल हैं, जो इसे परिपक्व प्रक्रियाओं और मोटे फोटोरेसिस्ट अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त बनाते हैं।
i-line स्टेपर एक मास्क से फोटोरेसिस्ट-कोटेड वेफर की सतह पर एक स्केल-डाउन सर्किट पैटर्न को प्रक्षिप्त करके उच्च-सटीकता पैटर्न ट्रांसफर प्राप्त करता है। i-line स्टेपर का संकल्प आमतौर पर लगभग 350nm होता है, जो परिपक्व प्रक्रियाओं और माइक्रोन-स्तरीय संरचना निर्माण के लिए उपयुक्त है। उपयोग किए गए प्रकाश स्रोत की लंबी तरंग दैर्ध्य के कारण, i-लाइन प्रणाली फोटोरेसिस्ट की मोटाई और वेफर वॉरपेज सहिष्णुता के मामले में उत्कृष्ट प्रदर्शन दिखाती है, जिससे यह मोटे फोटोरेसिस्ट प्रक्रियाओं और महत्वपूर्ण वॉरपेज वाले यौगिक अर्धचालक वेफर्स, जैसे SiC और GaN के लिए विशेष रूप से उपयुक्त बनती है। उपकरण में एक ऑटोफोकस, मल्टी-पॉइंट लेवलिंग, और उच्च-सटीकता संरेखण प्रणाली है ताकि एक्सपोजर गुणवत्ता और मल्टी-लेयर पैटर्न ओवरलैप की सटीकता सुनिश्चित की जा सके। उन्नत गहरे पराबैंगनी लिथोग्राफी उपकरणों की तुलना में, आई-लाइन स्टेपर्स कम महंगे, संचालन में अधिक स्थिर और रखरखाव में आसान होते हैं, जिससे वे निम्न से मध्यम रिज़ॉल्यूशन आवश्यकताओं और उच्च मात्रा उत्पादन अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त बनते हैं। इसके अलावा, i-line स्टेपर्स का उपयोग शिक्षा और अनुसंधान एवं विकास के क्षेत्रों में भी अक्सर किया जाता है क्योंकि उनकी कीमत कम होती है और संचालन की सीमा भी कम होती है। कुल मिलाकर, आई-लाइन स्टेपर्स परिपक्व निर्माण प्रक्रियाओं में एक महत्वपूर्ण भूमिका निभाते हैं, और विशेष रूप से पावर डिवाइस, MEMS, और सेंसर जैसे अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त हैं।
विशेषताएँ
- रिज़ॉल्यूशन: 350 एनएम तक (वैकल्पिक)
- न्यूमेरिकल एपर्चर (एनए): 0.45
- एक्सपोजर लाइट स्रोत: आई-लाइन (365 एनएम)
- कमी अनुपात: 1:5
- अधिकतम एक्सपोजर क्षेत्र: 22 मिमी × 22 मिमी
- ओवरले सटीकता: SMO (समान-मशीन ओवरले सटीकता) ≤ 70 एनएम (वैकल्पिक)
- वेफर आकार: 2-8 इंच के वेफरों का समर्थन करता है
- वेफर मोटाई और विकृति: विभिन्न वेफर मोटाई और विकृतियों का समर्थन करता है
- पीछे की संरेखण: IR पारगम्य प्रकार
- वाइड DOF: गहराई के क्षेत्र की सीमा को बढ़ाता है
- मल्टीपॉइंट AF: क्षैतिज फोकसिंग में सुधार करता है
कॉन्फ़िगरेशन
- एक्सपोजर प्रकाश स्रोत
- प्रक्षिप्ति ऑप्टिक्स और आवर्धन
- रिज़ॉल्यूशन और संख्यात्मक अपर्चर (NA)
- एक्सपोजर क्षेत्र का आकार (अधिकतम एक्सपोजर क्षेत्र)
- संरेखण प्रणाली (ओवरले नियंत्रण)
विकल्प
- मल्टी-पॉइंट ऑटोफोकस (एएफ)
- वाइड डेप्थ ऑफ फोकस (डीओएफ)
- बैकसाइड अलाइनमेंट (आईआर ट्रांसमिशन प्रकार)
- विभिन्न वेफर आकारों और मोटाई का समर्थन करता है, और वॉर्प सहिष्णुता
- प्रिसिजन वेफर स्टेज लेवलिंग/प्लेटफॉर्म टायर सुधार तंत्र
अनुप्रयोग
- MEMS निर्माण प्रक्रिया
- सेंसर और पैकेजिंग
- मेमोरी में परिपक्व नोड (>90nm) प्रक्रियाएँ
- संयुक्त सेमीकंडक्टर (SiC, GaN) वेफर निर्माण प्रक्रियाएँ
- शैक्षिक और अनुसंधान एवं विकास अनुप्रयोग
i-line स्टेपरपेशेवर कस्टम सेमीकंडक्टर और ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक प्रक्रिया उपकरण
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