iラインステッパー
iラインステッパーは、主にマイクロレベルの解像度の半導体プロセスやMEMS、パワーデバイス、その他の分野で使用される、365nm波長の光源を使用したフォトリソグラフィ装置です。その利点には、高い安定性と低コストが含まれ、成熟したプロセスや厚いフォトレジストのアプリケーションに適しています。
iラインステッパーは、マスクからの縮小された回路パターンをフォトレジストコーティングされたウエハの表面に投影することによって、高精度のパターン転写を実現します。 iラインステッパーの解像度は通常約350nmであり、成熟したプロセスやマイクロレベルの構造製造に適しています。 使用される光源の波長が長いため、iラインシステムはフォトレジストの厚さとウェーハのゆがみ耐性において優れた性能を示し、特に厚いフォトレジストプロセスやSiCやGaNなどの大きなゆがみを持つ化合物半導体ウェーハに適しています。 この機器は、露出品質と多層パターンの重なりの精度を確保するために、オートフォーカス、マルチポイントレベリング、高精度アライメントシステムを備えています。 先進的な深紫外線リソグラフィ装置と比較して、iラインステッパーはコストが低く、操作が安定しており、メンテナンスが容易であるため、低から中解像度の要件や大量生産のアプリケーションに適しています。 さらに、iラインステッパーは、価格が低く、動作閾値が低いため、教育や研究開発の分野でも頻繁に使用されています。 全体として、i-line ステッパーは成熟した製造プロセスにおいて重要な役割を果たし続けており、特にパワーデバイス、MEMS、センサーなどのアプリケーションに適しています。
仕様
- 解像度:最大350 nm(オプション)
- 数値開口(NA):0.45
- エクスポージャー光源:iライン(365 nm)
- 減少比: 1:5
- 最大露出範囲: 22 mm × 22 mm
- オーバーレイ精度: SMO(同一機械オーバーレイ精度)≤ 70 nm(オプション)
- ウェーハサイズ: 2-8インチのウェーハをサポート
- ウェーハの厚さと歪み: 様々なウェーハの厚さと歪みをサポート
- 裏面アライメント: IR透過型
- 広いDOF: 被写界深度範囲を拡張
- マルチポイントAF: 水平焦点を改善
構成
- 露光光源
- 投影光学系と倍率
- 解像度と数値開口(NA)
- 露光フィールドサイズ(最大露光フィールド)
- アライメントシステム(オーバーレイ制御)
オプション
- マルチポイントオートフォーカス(AF)
- 広い焦点深度(DOF)
- 裏面アライメント(IR伝送タイプ)
- さまざまなウェーハサイズと厚さ、及びワープ耐性をサポート
- 精密ウェーハステージレベリング/プラットフォームタイヤ補正機構
アプリケーション
- MEMS製造プロセス
- センサーとパッケージング
- メモリにおける成熟ノード(>90nm)プロセス
- 化合物半導体(SiC、GaN)ウェハ製造プロセス
- 教育および研究開発アプリケーション
iラインステッパープロフェッショナルカスタム半導体およびオプトエレクトロニクスプロセス装置
M&R NANO TECHNOLOGYは、高品質のiラインステッパーおよび先進的な半導体、オプトエレクトロニクス、テストアプリケーション向けに設計された半導体およびオプトエレクトロニクスプロセス機器を提供します。私たちの製品ラインには、台湾の桃園工場で製造された詳細なマスクアライナー、スピンコーター、デベロッパーが含まれており、高度な自動化機能を備えています。
私たちは、社内の研究開発と小型化技術を通じて、安定した品質と正確なカスタマイズを提供することに重点を置いています。これにより、すべてのシステムが厳格なプロセス要件を満たしながら、実用的な耐久性、低コスト、高効率をエンドユーザーに提供します。
グローバルバイヤー向けに、M&R NANO TECHNOLOGYは、調達プロセスを簡素化する信頼性の高い製造サポートを提供します。私たちは、顧客が半導体およびオプトエレクトロニクスのプロセス機器を成功裏に生産に移行できるよう、迅速なコミュニケーション、効率的な自動化統合、そして一貫したアフターセールスメンテナンスを


