i-line Stepper
Ein i-line-Stepper ist ein Photolithographiegerät, das eine Lichtquelle mit einer Wellenlänge von 365 nm für die Belichtung verwendet und hauptsächlich in der Mikronauflösungs-Halbleiterverarbeitung sowie in MEMS, Leistungshalbleitern und anderen Bereichen eingesetzt wird. Zu seinen Vorteilen gehören hohe Stabilität und niedrige Kosten, was ihn für ausgereifte Prozesse und dicke Fotolackanwendungen geeignet macht.
Der i-line-Stepper erreicht eine hochpräzise Musterübertragung, indem er ein verkleinertes Schaltmuster von einer Maske auf die Oberfläche eines mit Photoresist beschichteten Wafers projiziert. Die Auflösung eines i-Line-Steppers liegt typischerweise bei etwa 350 nm, was für ausgereifte Prozesse und die Herstellung von Mikrometer-strukturierten Bauteilen geeignet ist. Aufgrund der längeren Wellenlänge der verwendeten Lichtquelle zeigt das i-line-System hervorragende Leistungen hinsichtlich der Dicke des Photoresists und der Toleranz gegenüber Waferverzug, was es besonders geeignet für dicke Photoresistprozesse und Halbleiterwafer mit signifikantem Verzug, wie SiC und GaN, macht. Die Ausrüstung ist mit einem Autofokus, einem Mehrpunkt-Nivellierungssystem und einem hochpräzisen Ausrichtungssystem ausgestattet, um die Belichtungsqualität und die Genauigkeit der Überlappung mehrschichtiger Muster zu gewährleisten. Im Vergleich zu fortschrittlichen tiefen ultravioletten Lithografieanlagen sind i-Line-Stepper kostengünstiger, stabiler im Betrieb und einfacher zu warten, was sie für Anforderungen an niedrige bis mittlere Auflösungen und Anwendungen in der Hochvolumenproduktion geeignet macht. Darüber hinaus werden i-line-Steppmotoren aufgrund ihres niedrigeren Preises und der niedrigeren Betriebsschwelle auch häufig in der Bildung und in Forschungs- und Entwicklungsbereichen eingesetzt. Insgesamt spielen i-line-Steppers weiterhin eine wichtige Rolle in reifen Fertigungsprozessen und sind besonders geeignet für Anwendungen wie Leistungshalbleiter, MEMS und Sensoren.
Spezifikationen
- Auflösung: Bis zu 350 nm (optional)
- Numerische Apertur (NA): 0,45
- Belichtungslichtquelle: i-Linie (365 nm)
- Reduktionsverhältnis: 1:5
- Maximales Expositionsfeld: 22 mm × 22 mm
- Überlagerungsgenauigkeit: SMO (Überlagerungsgenauigkeit der gleichen Maschine) ≤ 70 nm (optional)
- Wafergröße: Unterstützt Wafer von 2-8 Zoll
- Waferdicke & Verzug: Unterstützt verschiedene Waferdicken und Verzüge
- Rückseitenausrichtung: IR-durchlässiger Typ
- Weites DOF: Erweitert den Bereich der Schärfentiefe
- Multipoint AF: Verbessert die horizontale Fokussierung
Konfiguration
- Belichtungslichtquelle
- Projektionsoptik und Vergrößerung
- Auflösung und numerische Apertur (NA)
- Belichtungsfeldgröße (maximales Belichtungsfeld)
- Ausrichtungssystem (Überlagerungssteuerung)
Optionen
- Mehrpunkt-Autofokus (AF)
- Breite Schärfentiefe (DOF)
- Rückseitenausrichtung (IR-Übertragungstyp)
- Unterstützt verschiedene Wafergrößen und -dicken sowie Verzugstoleranz
- Präzisionswafer-Stufenebene/Korrekturmechanismus für Plattformreifen
Anwendungen
- MEMS-Herstellungsprozess
- Sensoren & Verpackung
- Reife Knoten (>90nm) Prozesse im Speicher
- Herstellungsprozesse für Halbleiterwafer (SiC, GaN)
- Bildungs- und F&E-Anwendungen
i-line StepperProfessionelle maßgeschneiderte Halbleiter- & optoelektronische Prozessgeräte
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