Máy căn chỉnh mặt nạ của M&R là một thiết bị phơi sáng hiệu suất cao được thiết kế cho nghiên cứu và phát triển giai đoạn đầu, sử dụng trong phòng thí nghiệm và chế tạo mẫu quy mô nhỏ. Tính năng lớn nhất của nó là thiết kế máy tính để bàn nhỏ gọn, cấp nhập môn, cung cấp giải pháp in lithography linh hoạt và tiết kiệm nhất. Kích thước nhỏ gọn của thiết bị và sự dễ dàng trong việc lắp đặt giúp tiết kiệm không gian thí nghiệm và giảm đáng kể chi phí mua sắm, làm cho nó đặc biệt phù hợp với các nhóm có ngân sách hạn chế cần nhiều trạm làm việc phân tán.
 
Vận hành thủ công là một lợi thế chính của thiết bị này. Phương pháp căn chỉnh rất trực quan và dễ học, cho phép sinh viên, nhà nghiên cứu và kỹ sư nhanh chóng bắt đầu và ngay lập tức tiến hành xác thực quy trình. Bởi vì không có các quy trình tự động phức tạp, người dùng có thể tự do điều chỉnh các tham số khác nhau, tạo điều kiện cho việc thử nghiệm, sửa lỗi và khám phá quy trình.
 
Để bảo vệ mẫu, một số mô hình sử dụng thiết kế không tiếp xúc, ngăn ngừa hư hại cho wafer. Điều này đặc biệt có lợi cho các wafer mỏng, cấu trúc MEMS hoặc wafer bị cong, cải thiện đáng kể tỷ lệ thành công và độ tin cậy của các thí nghiệm.
 
Đáng chú ý rằng bộ căn chỉnh mặt nạ thủ công của M&R cung cấp tính linh hoạt nâng cấp cao. Người dùng có thể chọn trang bị nền tảng động cơ để cải thiện độ chính xác trục XY lên 40 nm, nâng cấp từ xác minh thủ công cho người mới bắt đầu lên xác minh nâng cao mà không cần thay thế toàn bộ hệ thống, mang lại khả năng mở rộng cực kỳ cao.
 
Máy căn chỉnh mặt nạ thủ công của M&R cung cấp cho khách hàng một điểm khởi đầu linh hoạt và hiệu quả cho các quy trình quang khắc nhờ vào chi phí thấp, dễ vận hành, độ ổn định cao và khả năng mở rộng, khiến nó trở thành lựa chọn lý tưởng cho các cơ sở giáo dục, trung tâm R&D và các công ty khởi nghiệp.

Thông số kỹ thuật

• Kích thước wafer áp dụng: 2”～6”
• Di chuyển XY: 200mm
• Độ chính xác trục XY: 40nm tự động / 1µm thủ công (tùy thuộc vào mẫu)
• Di chuyển trục Z: Không hoặc cơ chế điều chỉnh đơn giản
• Độ chính xác căn chỉnh: 1.0~2.0µm (thủ công)
• Độ phân giải phơi sáng: 0.8µm～1.0µm
• Phương pháp căn chỉnh: Nhận diện bằng mắt người
• Chế độ phơi sáng: Không tiếp xúc / Tiếp xúc (tùy thuộc vào mẫu)
• Hệ thống điều khiển: IPC (một số mẫu)

Cấu hình

• Thiết kế nhẹ nhàng để bàn
• Mô-đun điều khiển phơi sáng cơ bản
• Giao diện IPC (đối với một số mẫu)

Tùy chọn

• Gắn mặt nạ quang học bằng cốc hút chân không đơn giản
• Mô-đun quang tùy chỉnh
• Hệ thống căn chỉnh hỗ trợ hình ảnh cơ bản

Ứng dụng

• Các tổ chức nghiên cứu và phòng thí nghiệm đại học
• Phát triển quy trình ban đầu
• Nghiên cứu và phát triển quang điện tử và MEMS
• Sản xuất thử nghiệm quy mô nhỏ