科毅的半自動曝光機的核心優勢在於結合電動精密控制與部分自動化設計，讓製程更穩定、更快速，也更容易被工程團隊整合至量產前的驗證流程，專為需要高精度、穩定度與操作效率的研發單位與中試產線而打造。

在精度方面，設備採用電動 XY/Z 平台，可提供 XY 軸 0.1µm 與 Z 軸 1.0µm 的控制能力，對位精度可達 1.0µm，搭配視覺演算技術，使曝光重複性大幅提升。此外，曝光解析度最高可達 1.0µm，能支援高精細製程開發。

為提升曝光均勻性，系統搭載 WEC 楔形誤差補償技術，整平精度達 ±1.0µm，有效消除晶圓表面傾斜造成的影響，確保曝光品質穩定一致。

在操作效率上，此設備提供部分自動化功能，包括光罩更換與晶圓搬運的輔助機構，不僅減輕操作人員負擔，也提升產能與使用安全性，適用晶圓尺寸範圍涵蓋 2 吋至 8 吋。

此外，半自動曝光機支援真空接觸、硬接觸、軟接觸與間隙曝光等多種模式，可滿足不同製程條件。採用 IPC + PLC + HMI 控制架構，搭配高剛性鋼架與 <2Hz 避震系統，使整體運作更加穩定可靠。

科毅半自動曝光機兼具高精度、可靠性與彈性，能有效提升研發效率與製程品質，是進入量產前的重要微影設備選擇。

產品規格

• 適用晶圓尺寸：2”～8”
• XY 行程：10mm
• XY 軸精度：電動 0.1µm
• Z 軸行程：>5.0mm
• Z 軸精度：電動 1.0µm
• Theta 軸：支援 ±3° 微調
• 整平結構：WEC 楔形誤差補償 (Wedge Error Compensation)
• 整平精度：±1.0µm
• 曝光分辨率：1.0µm
• 對位精度：1.0µm (電動)
• 對位方式：視覺演算對位系統
• 曝光模式：真空接觸 / 硬接觸 / 軟接觸 / 間隙曝光
• 電控系統：PLC + HMI + IPC

產品配備

• WEC 整平系統
• 高剛性避震鋼架
• 視覺對位系統
• PLC + HMI + IPC 控制

產品選配

• 自動光罩更換系統
• 晶圓自動上下料模組
• 客製化光學模組

應用產業

• 半導體光刻製程
• 光電元件 (LED, Micro-LED)
• MEMS 製程
• 研究單位與中試產線